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Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Relatorio tecnico
On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system (2020)
Avanci, L H; Remedios, C M R; Quivy, Alain André ; Morelhão, Sergio Luiz
Unidade: IF
Assunto: DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
AVANCI, L H et al. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024. , 2020
APA
Avanci, L. H., Remedios, C. M. R., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2020). On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
NLM
Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
Vancouver
Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
Artigo de periodico
Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2006)
Lopes, K C; Matsuoka, Masao; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Sucasaire, S; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira; Leite, J R; Freitas, J A
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: VÁCUO, FILMES FINOS
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ABNT
LOPES, K C et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 25, n. 1, p. 55-58, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., Sucasaire, S., et al. (2006). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 25( 1), 55-58. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Sucasaire S, Salvadori MCB da S, Leite JR, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 55-58.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Sucasaire S, Salvadori MCB da S, Leite JR, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 55-58.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2005)
Lopes, K. C.; Matsuoka, M; Sucasaire, W; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, J F D; Salvadori, M C B S; Leite, J. R.; Sant'Ana, A. C. de; Temperini, Márcia Laudelina Arruda ; Freitas, J. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES
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ABNT
LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o método de deposição assistida por feixe de íons (2005)
Sucasaire, W; Matsuoka, M; Lopes, K C; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, J F D; Added, Nemitala; Trava, V; Corat E J
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FEIXES, ÍONS
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ABNT
SUCASAIRE, W et al. Estudo de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o método de deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0819-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Sucasaire, W., Matsuoka, M., Lopes, K. C., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Estudo de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o método de deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0819-1.pdf
NLM
Sucasaire W, Matsuoka M, Lopes KC, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Added N, Trava V, Corat E J. Estudo de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o método de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0819-1.pdf
Vancouver
Sucasaire W, Matsuoka M, Lopes KC, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Added N, Trava V, Corat E J. Estudo de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o método de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0819-1.pdf
Artigo de periodico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Trabalho de evento-resumo
Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Freitas, R. O.; Morelhão, Sérgio Luiz; Quivy, A. A.; Avanci, L H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, R. O. et al. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Freitas, R. O., Morelhão, S. L., Quivy, A. A., & Avanci, L. H. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
NLM
Freitas RO, Morelhão SL, Quivy AA, Avanci LH. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
Vancouver
Freitas RO, Morelhão SL, Quivy AA, Avanci LH. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Invariant phase determination by genetic algorithm (2004)
Amaral, Thaís G; Perrota, André V; Avanci, L H; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMARAL, Thaís G et al. Invariant phase determination by genetic algorithm. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0472-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Amaral, T. G., Perrota, A. V., Avanci, L. H., & Morelhão, S. L. (2004). Invariant phase determination by genetic algorithm. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0472-1.pdf
NLM
Amaral TG, Perrota AV, Avanci LH, Morelhão SL. Invariant phase determination by genetic algorithm [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0472-1.pdf
Vancouver
Amaral TG, Perrota AV, Avanci LH, Morelhão SL. Invariant phase determination by genetic algorithm [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0472-1.pdf
Artigo de periodico
Two-dimensional intensity profiles of effective satellites (2002)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Quivy, A. A.; Abramog, E
Source: Journal of Applied Crystallography. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Two-dimensional intensity profiles of effective satellites. Journal of Applied Crystallography, v. 35, p. 69-74, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/s0021889801018921. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Quivy, A. A., & Abramog, E. (2002). Two-dimensional intensity profiles of effective satellites. Journal of Applied Crystallography, 35, 69-74. doi:10.1107/s0021889801018921
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Quivy AA, Abramog E. Two-dimensional intensity profiles of effective satellites [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2002 ; 35 69-74.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0021889801018921
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Quivy AA, Abramog E. Two-dimensional intensity profiles of effective satellites [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2002 ; 35 69-74.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0021889801018921
Artigo de periodico
Strength tuning of multiple waves in crystals (2001)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H
Source: Acta Crystallographica Section A. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e AVANCI, L H. Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, v. 57, p. 192-196, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Morelhão, S. L., & Avanci, L. H. (2001). Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, 57, 192-196. doi:10.1107/s0108767300015774
NLM
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Trabalho de evento-anais periodico
Mapping of Bragg-surface diffraction of InP/GaAs (100) structure (1998)
Avanci, L H; Hayashi, M A; Cardoso, L P; Morelhão, Sérgio Luiz; Riesz, F; Rakennus, K; Hakkarainen, T
Source: Journal Crystal Growth. Conference titles: International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques. Unidade: IF
Assunto: CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AVANCI, L H et al. Mapping of Bragg-surface diffraction of InP/GaAs (100) structure. Journal Crystal Growth. Amsterdam: North-Holland. . Acesso em: 27 abr. 2024. , 1998
APA
Avanci, L. H., Hayashi, M. A., Cardoso, L. P., Morelhão, S. L., Riesz, F., Rakennus, K., & Hakkarainen, T. (1998). Mapping of Bragg-surface diffraction of InP/GaAs (100) structure. Journal Crystal Growth. Amsterdam: North-Holland.
NLM
Avanci LH, Hayashi MA, Cardoso LP, Morelhão SL, Riesz F, Rakennus K, Hakkarainen T. Mapping of Bragg-surface diffraction of InP/GaAs (100) structure. Journal Crystal Growth. 1998 ; 188( 1-4): 220-224.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Avanci LH, Hayashi MA, Cardoso LP, Morelhão SL, Riesz F, Rakennus K, Hakkarainen T. Mapping of Bragg-surface diffraction of InP/GaAs (100) structure. Journal Crystal Growth. 1998 ; 188( 1-4): 220-224.[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
Observation of coherent hybrid reflection with synchrotron radiation (1998)
Morelhão, S L; Avanci, L H; Hayashi, M A; Cardoso, L P; Collins, S P
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, S L et al. Observation of coherent hybrid reflection with synchrotron radiation. Applied Physics Letters, v. 73, n. 15, p. 2194-2196, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.122420. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Hayashi, M. A., Cardoso, L. P., & Collins, S. P. (1998). Observation of coherent hybrid reflection with synchrotron radiation. Applied Physics Letters, 73( 15), 2194-2196. doi:10.1063/1.122420
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Hayashi MA, Cardoso LP, Collins SP. Observation of coherent hybrid reflection with synchrotron radiation [Internet]. Applied Physics Letters. 1998 ; 73( 15): 2194-2196.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.122420
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Hayashi MA, Cardoso LP, Collins SP. Observation of coherent hybrid reflection with synchrotron radiation [Internet]. Applied Physics Letters. 1998 ; 73( 15): 2194-2196.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.122420
Artigo de periodico
Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors (1997)
Hayashi, M A; Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Cardoso, L P; Sasaki, J M; Kretly, L C; Chang, S L
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HAYASHI, M A et al. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, v. 71, n. 18, p. 2614-2616. 1997, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.120157. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Hayashi, M. A., Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Cardoso, L. P., Sasaki, J. M., Kretly, L. C., & Chang, S. L. (1997). Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, 71( 18), 2614-2616. 1997. doi:10.1063/1.120157
NLM
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157
Vancouver
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157

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